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  • 型号: BSO130N03MS G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO130N03MS G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO130N03MS G价格参考。InfineonBSO130N03MS G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSO130N03MS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSO130N03MS G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSO130N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d7ace917e3c

产品图片

产品型号

BSO130N03MS G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13 毫欧 @ 11.1A,10V

供应商器件封装

PG-DSO-8

其它名称

BSO130N03MS GDKR

功率-最大值

1.56W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta)

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